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提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中，通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比，一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此，防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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