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采用多步选择性抛光技术在半导体器件中形成接触塞的方法，选择性去掉层间绝缘膜和导电层，从而使ＣＭＰ层的平整度和均匀性提高。该方法包括在具有多个扩散层和导电层的半导体衬底上形成层间绝缘膜。在淀积时层间绝缘膜具有不平整的上表面，其轮廓与形成于半导...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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