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本发明提出一种晶片缺陷检查及特性分析的方法，以检查工具与特性分析工具的两坐标系统的一坐标转换矩阵来准确地在两坐标系统中转换传递晶片缺陷坐标位置，因此特性分析工具可准确地驱动至缺陷位置并分析缺陷特性。在一晶片进行标准工艺前先形成用以定位对准晶...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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