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本发明提供一种CMOS图像传感器及制造方法，所述CMOS图像传感器包括P型衬底、P型外延层以及多个像素单元，P型外延层形成于P型衬底上，N型埋层、P型钳位层、P型埋层以及P型外延层构成钳位光电二极管，N型埋层、P型钳位层以及P型埋层均形成于...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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