温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在半导体硅衬底的元件区域的周围形成元件分离绝缘膜。在硅衬底上以覆盖沟道区周围的方式形成由氮化硅膜构成的侧壁绝缘膜。在侧壁绝缘膜构成的沟的内部，侧壁是Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］膜金属栅电极。在元件分离绝缘膜上形成层间绝缘膜。在侧壁由侧壁绝缘膜和层...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。