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一种采用ＴＥＯＳ源ＰＥＣＶＤ生长氧化硅厚膜的方法，清洗硅片表面，将硅片放入反应室；采用Ｈｅ作携带气体，用固泡法将ＴＥＯＳ和Ｈ↓［２］Ｏ携带进入反应室；通过水浴加热装置，使ＴＥＯＳ恒温在３０℃－５０℃，Ｈ↓［２］Ｏ恒温在２０℃－３０℃；对氧化...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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