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通过以氮化硅加盖及侧壁层封装各个ＭＯＳ晶体管及浮动栅极存储单元的钨栅极接点，以制造用于闪速ＥＥＰＲＯＭ的钨栅极ＭＯＳ晶体管及存储单元。本发明方法有利于在高温及氧化环境的后续工艺中，预防有害的氧化。...
该专利属于飞索股份有限公司;富士通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞索股份有限公司;富士通股份有限公司授权不得商用。

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