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通过用金属形成沟槽电容器的电极的至少一部分，可以降低电极的表面电阻，因为可以缩短由ＣＲ延迟引起的信号传播时间，所以可以缩短读出／写入时间。此外，通过形成埋入栅电极，可以实现用ＤＲＡＭ以及ＤＲＡＭ／逻辑电路混合器件求得的单元面积的微细化，栅长...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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