温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种集成电路深亚微米沟道及源漏制造技术中的工艺集成方法。０．１５μ至０．１８μＣＭＯＳ制造工艺采用ＬＤＤ　ＮＭＯＳ器件结构和“仅有重掺杂源漏”的ＰＭＯＳ器件结构。在ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ器件边墙工艺完成之后，对两种器件同时进行Ｎ型杂质...
该专利属于上海华虹（集团）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹（集团）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。