温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种在各晶面方位上形成的ＭＯＳＦＥＴ都具有良好特性的半导体装置。为此，其构成为，例如，在晶面方位为（１００）的硅衬底（１１）上，在Ｎ型阱区１３ａ的表面上露出（１００）以外的晶面方位。只在包含上述（１００）晶面方位上的沟道形成区的区域上形...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。