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本发明提供一种在一半导体晶片的基板上制作一金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管并能防止该ＭＯＳ晶体管发生栅极贫化现象的方法。该方法是先在该基板表面形成一氧化硅层，接着于该氧化硅层表面上形成一非晶硅层，然后在该非晶硅层表面形成一多晶锗化硅（Ｓｉ＃...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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