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本发明提供一种在一半导体晶片上制作一ＮＭＯＳ晶体管以及一ＰＭＯＳ晶体管的方法。该方法先在一半导体晶片的硅基板表面形成一氧化硅层，接着进行一原位掺杂化学气相沉积工艺，以便在该氧化硅层表面形成一多晶锗化硅（Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］，ｘ＝０．...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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