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本发明是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层、罩幕层，再除去部份垫氧化层、罩幕层以及基底，以在基底中形成沟渠。接着，以具有较高蚀刻／沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，进行第一阶段的绝缘层沉...
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