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本发明是有关于一种氮化硅只读存储器的制造方法。是在基底上依序形成一捕捉层，接着，在基底上形成已图案化的光阻层，以光阻层为罩幕，进行口袋离子植入步骤，将第一型掺质植入基底的源极／汲极区中，再移除部分捕捉层以使捕捉层图案化，最后进行源极／汲极离...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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