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一种在集成电路内利用内建电感元件阻断寄生电流的元件结构，将侧面形成如栅状结构的相互平行的深沟渠电容元件。利用此深沟渠储存电荷，可以阻断基底产生的寄生损失电流。集成电路内有主动元件区，配置复数个主动元件，以场氧化层做隔离。电感在沟渠的正上方，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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