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本发明半导体器件，通过有效降低漂移电阻分量，可大幅度降低导通电阻。半导体器件具备：第一导电型漏极（１２）；设置在漏极层上的第一导电型漂移层（８）；设置在漂移层上的第二导电型基极层（１０）；设置在基极层上的第一导电型源极区域（１６）；和具有贯...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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