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一种藉由减少去除光阻所致缺点以形成具有不同厚度的高品质氧化物层的方法。半导体基板接受反应性离子蚀刻。该半导体基板包括一晶圆（４），一氧化物层（２）于该晶圆上，以及一包封光阻掩膜（８）于该氧化物层上。然后氧化物层（２）经蚀刻，而剩蚀的光阻掩膜...
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