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本发明有关一种制作场氧化层的方法，特别是有关于一种利用氧原子植入以制作自动对准的场氧化层的方法。本发明利用在部分底材内预先植入氧原子的方式，在制作场氧化层的制程中，能同时在晶片上依照高电压区域与低电压区域的需求，在高电压区域上形成较厚的场氧...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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