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本发明涉及准直窄脉冲高功率激光器封装结构，包括发射电路板，发射电路板的一面设置有激光芯片和与激光芯片配合的绑定陶瓷，发射电路板的另一面设置有连接器母座；发射电路板的表面还设置有放电电容、MOS管和预放大电路；应用本发明的封装方式，通过将激光...
该专利属于深圳市不止技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市不止技术有限公司授权不得商用。

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