准直窄脉冲高功率激光器封装结构、激光雷达及雷达制品制造技术

本发明专利技术涉及准直窄脉冲高功率激光器封装结构，包括发射电路板，发射电路板的一面设置有激光芯片和与激光芯片配合的绑定陶瓷，发射电路板的另一面设置有连接器母座；发射电路板的表面还设置有放电电容、MOS管和预放大电路；应用本发明专利技术的封装方式，通过将激光发射芯片裸片绑定在陶瓷片上，再将陶瓷片通过银浆等导电介质固定在一块小型PCB(发射电路板)上，并将配套驱动电路全部集成在该PCB(发射电路板)上，实现大功率、窄脉冲激光发射触发电路，减短电容放电回路，减少PCB走线、器件管脚与焊盘的寄生电容、电感影响，实现电容快速充放电，提高激光发射功率，减小激光发射脉宽，提升基于DTOF的激光测距设备的测距距离和测距精度。DTOF的激光测距设备的测距距离和测距精度。DTOF的激光测距设备的测距距离和测距精度。

【技术实现步骤摘要】
准直窄脉冲高功率激光器封装结构、激光雷达及雷达制品


[0001]本专利技术涉及激光发射器
，更具体地说，涉及一种准直窄脉冲高功率激光器封装结构、激光雷达及雷达制品。

技术介绍

[0002]在DTOF激光测距应用(如激光测距仪，激光雷达等)中，远距离测量需要将激光发射功率提高到十几瓦甚至几十瓦；如此高功率的激光，为满足人眼安全要求(class I)，需要将发光时间控制在ns级别；此外DTOF测距是基于激光的飞行时间，要实现厘米级的测距精度，也必须将激光调制为ns级的窄脉冲，而且脉冲越窄，测距精度越好。
[0003]最常用的的激光发射驱动电路，是通过如图1所示的电容瞬间放电电路实现，电容C1在mos管导通瞬间放电，激发激光器发光，产生ns级别的窄脉冲。为了减少PCB布局走线和器件管脚寄生电容、电感对电容放电的影响，放电电容、mos管、预放大电路(如mos管驱动器等)要尽可能的靠近激光器放置，PCB走线要尽可能的短，这样才能让激光发射脉冲足够窄。
[0004]然而现有的激光器封装结构则通常是如图2所示的，激光器由金属外壳100、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种准直窄脉冲高功率激光器封装结构，其特征在于，包括发射电路板，所述发射电路板的一面设置有激光芯片和与所述激光芯片配合的绑定陶瓷，所述发射电路板的另一面设置有连接器母座；所述发射电路板的表面还设置有放电电容、MOS管和预放大电路。2.根据权利要求1所述的准直窄脉冲高功率激光器封装结构，其特征在于，所述准直窄脉冲高功率激光器封装结构还包括激光发射管；所述激光发射管的尾部封装设置有所述发射电路板。3.根据权利要求2所述的准直窄脉冲高功率激光器封装结构，其特征在于，所述激光发射管上设置有发射准直透镜，所述激光发射管的尾部设置有封装所述发射电路板的封装腔，所述激光芯片与所述发射准直透镜正对。4.根据权利要求3所述的准直窄脉冲高功率激光器封装结构，其特征在于，所述激光发射管包括依次连接的发射管前段、发射管中段和发射管后段；所述发射电路板设置在所述发射管后段上；所述发射管前段的尾部成型有供所述发射准直透镜装入的透镜安装槽；所述发射管中段上设置有伸入所述透镜安装槽抵紧所述发射准直透镜的抵紧部。5.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱火林，句鹏，
申请(专利权)人：深圳市不止技术有限公司，
类型：发明
国别省市：