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一种微电子结构包括至少一个属于第一导电型的源／漏端，所述源／漏端与属于第二导电型的半导体材料区域部分隔离。根据本发明的再一方面，一种用于形成如ＭＯＳＦＥＴ等的微电子结构的方法，所述结构具有至少一个属于第一导电型的源／漏端，其被与第二导电型的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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