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一种非挥发性内存及其制造方法，其结构于一基底中具有一沟渠，而有一埋入式位线横越此沟渠，且有一字线至少覆盖此沟渠并越过埋入式位线，又于基底与字线之间有一层电荷捕捉层。...
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