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使掺杂SiO 图形化的方法和选择性蚀刻SiO 的方法技术
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文档序号:3212198
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一种包含C#-[2]H#-[x]F#-[y]蚀刻剂,其中x是2-5的整数,y是1-4的整数,x+y等于6。该蚀刻剂能以相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅的选择性蚀刻掺杂的二氧化硅。因此,在使用含C#-[2]H#-[x]F#-[y]的蚀刻剂的干蚀刻...
该专利属于微米技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过微米技术股份有限公司授权不得商用。
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