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本发明揭示一种形成具有低应力无侵蚀区的浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法。本发明利用氧与氢氧根进行一原位蒸汽发生制程以在浅沟渠隔离中形成一侧壁氧化层。以本发明的方法形成的侧壁氧化层具有低应力、不会有侵蚀区的现象且反应时间也远比传统热氧化制程短。...
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