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一种掩膜式只读存储器的制造方法，此方法提供一基底，再于基底上形成掺杂导体层。接着，图案化此掺杂导体层以形成多个条状掺杂导体层，再以热氧化法于基底与条状掺杂导体层上形成介电层，并同时于条状掺杂导体层下方的基底中形成多个扩散区。然后，于介电层上...
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