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本发明涉及一种形成低介电常数材料的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底形成有若干半导体元件，并将半导基底置于一反应室；接着，提供一硅氧气体、碳氢气体及含氧气体的混合气体于反应室中以形成一低介电常数材料层，然后，对低介电常数材料层进行电浆...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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