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本发明涉及一种分离栅极式快闪存储器，包括：一基底、一隧穿介电层、一浮置栅极、一栅极间介电层以及一控制栅极。其中，隧穿介电层设置于具有一源／漏极区的基底上。浮置栅极设置于隧穿介电层上，且浮置栅极的底角为锐角。栅极间介电层设置于浮置栅极上。控制...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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