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基于SiC的可扩展MPS器件制造技术
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下载基于SiC的可扩展MPS器件的技术资料
文档序号:32113835
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本公开的实施例涉及基于SiC的可扩展MPS器件。一种合并式PiN肖特基MPS器件,包括:具有第一导电性的SiC衬底;具有所述第一导电性的SiC漂移层,在所述衬底上;具有第二导电性的注入区域,在所述漂移层的顶表面处延伸,以与所述衬底形成结势垒...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。
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