温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的实施例涉及具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法。一种电子器件包括SiC的固体本体，固体本体具有表面并且具有第一导电性类型。第一注入区域和第二注入区域具有第二导电性类型，并且从表面开始在一方向上延伸到固体本体中，并且在第一注入...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。