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一种氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其中，氮化物只读存储器元件包含阵列区和周边区。首先，提供衬底，并在衬底上形成氧化层；接着，在氧化层的上方形成周边区的多晶硅层；然后，形成图案化的周边多晶硅；接下来，在阵列区和周边区的衬底上方形成ＯＮＯ...
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