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一种制造氮化硅只读存储器的方法，适于整合一氮化硅只读存储单元与一周边电路的工艺，其特征是，该方法包括： 于一基底上形成一氮化硅堆栈层； 定义该氮化硅堆栈层，以暴露出部分该基底； 施行一离子植入工艺，以于定义过的该氮化硅堆栈...
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