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一种集成电路晶体管结构可以包括衬底上的栅电极和衬底中的靠近栅电极的源／漏区。与衬底分离的抗穿通层靠近源／漏区。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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