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本公开的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管(TFT)的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及使用电感耦合等离子体高密度等离子体工艺在金属氧化物层之上沉积绝缘层以提高电子迁移率的方法。高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离子体...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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