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一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量ＭＯＳ型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施ＣＶＤ处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件（ＳＰＡ）对处理气体辐射微...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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