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本发明涉及一种浅沟道隔离区形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；形成一掩膜层于半导体基底；以微影过程及蚀刻程序，定义掩膜层的型样；利用掩膜层的型样，施行一蚀刻程序而在半导体基底上形成数个沟道；在沟道内形成一侧壁间隔物层；施行一高密度电浆...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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