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本发明公开了一种形成开口的方法，此方法是首先在一基底上形成一第一介电层，并且在第一介电层上形成一第二介电层，其中第一介电层的蚀刻速率小于第二介电层的蚀刻速率。之后在第二介电层上形成一图案化的光阻层，然后以此光阻层为一蚀刻罩幕进行一蚀刻工艺，...
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