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本发明涉及一种ＣＭＯＳ元件，其结构包括将压缩或拉伸应力材料层设于ＰＭＯＳ晶体管表面，并将拉伸应力材料层设于ＮＭＯＳ晶体管表面。本发明并提供上述的ＣＭＯＳ元件的制造方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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