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一种ＣＭＯＳ器件，包括在硅基片的（１００）面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的ｐ通道ＭＯＳ晶体管和ｎ通道ＭＯＳ晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所...
该专利属于东京毅力科创株式会社;大见忠弘所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社;大见忠弘授权不得商用。

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