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本发明公开一种利用非布植方式形成半导体组件的方法，其是在一基底表面形成栅极堆栈结构后，利用沉积与蚀刻技术在栅极堆栈结构两侧形成侧壁结构，接着在半导体上沉积一硅玻璃层，再利用高温热制程，将硅玻璃层中的离子驱入半导体基底中，以在基底内形成浅、深...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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