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提供一种半导体器件的制造方法，可以抑制因硅化物的形成而使漏电流增加。将抑制硅化物反应的杂质（抑制杂质）、例如锗从其上面导入源漏区１６、３６。接着，在源漏区１６、３６中，使比抑制杂质分布的区域５０还浅的区域变成硅化物，在源漏区１６、３６形成硅...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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