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一种氮化硅只读存储器，其特征在于该氮化硅只读存储器包括：　　　　一个基底；　　　　一个控制闸极，该控制闸极设置在该基底上；　　　　一个电荷陷入层，该电荷陷入层设置于该控制闸极与该基底之间；　　　　一个复合介电层，该复合介电层设置于该控制闸极...
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