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一种存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　　　提供一基底，且于该基底上至少形成有一字符线；　　　　以一不使用等离子源的化学气相沉积法，在该基底上形成一衬氧化层以覆盖该基底与该字符线；以及　　　　在该衬氧化层上形成一介电层，其中...
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