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本实用新型提出了一种半导体用高纯石英材料制备装置,包括外壳,所述外壳的顶部开设有进料口,所述进料口位于外壳上部的中心位置,所述进料口下方固定设置有导流板,所述外壳左侧的上部连通且固定设置有排气管,所述外壳的底部固定设置有加热管,所述加热管的...该专利属于江苏艾匹克半导体设备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏艾匹克半导体设备有限公司授权不得商用。
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本实用新型提出了一种半导体用高纯石英材料制备装置,包括外壳,所述外壳的顶部开设有进料口,所述进料口位于外壳上部的中心位置,所述进料口下方固定设置有导流板,所述外壳左侧的上部连通且固定设置有排气管,所述外壳的底部固定设置有加热管,所述加热管的...