半导体用高纯石英材料制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出了一种半导体用高纯石英材料制备装置，包括外壳，所述外壳的顶部开设有进料口，所述进料口位于外壳上部的中心位置，所述进料口下方固定设置有导流板，所述外壳左侧的上部连通且固定设置有排气管，所述外壳的底部固定设置有加热管，所述加热管的顶部与外壳内部连通，所述外壳内部固定设置有加热台板，所述加热管的顶部位于加热台板底部，所述外壳底部的另一侧固定设置有温度传感器，所述温度传感器与加热管之间间隔设置，所述加热台板位于外壳的下部且横向设置在外壳内，借此，本实用新型专利技术具有实现了现有技术中半导体材料制备过程中进行加热的优点。料制备过程中进行加热的优点。料制备过程中进行加热的优点。

【技术实现步骤摘要】
半导体用高纯石英材料制备装置


[0001]本技术属于半导体材料制备设备
，特别涉及一种半导体用高纯石英材料制备装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ
·
cm～1GΩ
·
cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，半导体材料在制备过程中，会先经过初步的加热处理，再进行后续的冷却和精细加工，因此需要提供一种设备实现半导体材料的加热处理过程。

技术实现思路

[0003]本技术提出一种半导体用高纯石英材料制备装置，实现了现有技术中半导体材料制备过程中进行加热的目的。
[0004]本技术的技术方案是这样实现的：一种半导体用高纯石英材料制备装置，包括外壳，所述外壳的顶部开设有进料口，所述进料口位于外壳上部的中心位置，所述进料口下方固定设置有导流板，所述外壳左侧的上部连通且固定设置有排气管，所述外壳的底部固定设置有加热管，所述加热管的顶部与外壳内部连通，所述外壳内部固定设置有加热台板，所述加热管的顶部位于加热台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用高纯石英材料制备装置，其特征在于，包括外壳，所述外壳的顶部开设有进料口，所述进料口位于外壳上部的中心位置，所述进料口下方固定设置有导流板，所述外壳左侧的上部连通且固定设置有排气管，所述外壳的底部固定设置有加热管，所述加热管的顶部与外壳内部连通，所述外壳内部固定设置有加热台板，所述加热管的顶部位于加热台板底部，所述外壳底部的另一侧固定设置有温度传感器，所述温度传感器与加热管之间间隔设置，所述加热台板位于外壳的下部且横向设置在外壳内。2.根据权利要求1所述的一种半导体用高纯石英材料制备装置，其特征在于，所述导流板的表面开设有若干均匀分布的通孔，所述导流板位于加热台板的正上方，所述导流板左右两侧之间的宽度小于工作台板左右之间的宽度。3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈恒文，王玮康，唐浩，代悦明，夏美芳，
申请(专利权)人：江苏艾匹克半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：