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一种非挥发性内存及其制造方法，其基板隔离区形成于半导体基板上并突出于基板介电区域。然后选择闸线形成。后一浮置闸层沉积并进行蚀刻，直至基板隔离区暴露，且浮置闸层至少自选择闸线的一个部分移除。介电层形成于浮置闸层上，且控制闸层沉积并向上突出于每...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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