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从图１（ａ）所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有ＨＢｒ的气体，例如ＨＢｒ＋Ｃｌ↓［２］的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图１（ｂ）所示，在露出硅氧化膜层（１０２）之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有ＨＢｒ的气体，例如...
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