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一种设有多个在半导体层内形成的、包含第一导电型半导体的源极、第一导电型半导体的漏极以及介于所述源极和漏极之间的第二导电型半导体的本体区的半导体元件的集成半导体装置，其中：　　　　一个半导体元件中的漏极的至少预定部分上的杂质浓度与另一半导体元...
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