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一种半导体器件的制造方法，包括在下层互连的表面上形成保护膜，和通过在保护膜的表面上依次叠置第一多孔膜、第一无孔膜、第二多孔膜以及第二无孔膜形成多层结构膜，并形成过孔和互连沟槽。除去抗蚀剂掩模之后，除去在过孔底部露出的保护膜。通过在过孔和互连...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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