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本发明的课题是得到能恰当地避免隔离耐压的降低而又没有结电容的增加等的弊端的半导体器件及其制造方法。通过形成凹部１４预先使硅层３薄膜化以后，形成杂质导入区１１。从而，在位于元件隔离绝缘膜５的底面与ＢＯＸ层２的上表面之间的部分的ｐ型硅层３内，由...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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