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一种具有存储功能的单电子晶体管，包括：　　　　顺序叠置的第一衬底和绝缘膜；　　　　叠置在该绝缘膜上并包括源极区、沟道区和漏极区的第二衬底；　　　　形成在第二衬底上的隧穿膜；　　　　以一间隔形成在该隧穿膜上的至少两个俘获层，在该间隔中可在沟道...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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